Гост на корпуса транзисторов

У нас вы можете скачать гост на корпуса транзисторов в fb2, txt, PDF, EPUB, doc, rtf, jar, djvu, lrf!

Основные параметры контролирует или гарантирует предприятие-изготовитель. Справочные параметры вместе с основными используются при разработке и расчетах радиотехнических схем и включаются в каталоги и справочники. Вольтамперные и другие характеристики относятся к справочным данным и приведены в справочном приложении 1, наименования основных и справочных параметров даны в справочном приложении 2. Измененная редакция - "Информ. Основные и справочные параметры транзисторов должны соответствовать указанным в таблице.

Транзисторы малой мощности 0,3 Вт низкой частоты 3 МГц. Для переключающих транзисторов, кроме параметров, указанных в таблице, основными являются , , , , , справочными - , ,. Вольтамперные и другие характеристики параметров транзисторов.

Транзисторы средней 0,3 Вт 1,5 Вт и большой 1,5 Вт мощности. Напряжение между коллектором и эмиттером при нулевом токе базы и заданном токе эмиттера. В этой книге Вы сможете найти информацию о том, как правильно измерять и принимать пиломатериалы по госстандартам.

Книга уникальна тем, что в ней есть таблицы, которыми можно воспользоваться для сдачи Вашего пиломатериала сторонним заказчикам, соблюдая ГОСТы принятые в сфере деревообработки.

Издание последовательно и обстоятельно рассказывает на своих страницах о новейших формах и методах управления качеством в России и странах СНГ. Издаётся с г. Перечень основных и справочных электрических параметров, ГОСТ List of basic and reference electrical parameters Дата введения Постановлением Комитета стандартов, мер и измерительных приборов при Совете Министров СССР от 12 января г.

Условные графические обозначения полупроводниковых приборов для схем, выполнение которых при помощи печатающих устройств ЭВМ предусмотрено стандартами Единой системы конструкторской документации, приведены в табл. Многоэмиттерный транзистор типа NPN. Размеры в модульной сетке основных условных графических обозначений даны в приложении 2. Транзистор полевой с изолированным затвором. ИУС , , , Переход от Р -области к N -области и наоборот область собственной электропроводности I -область: Р -канал на подложке N -типа, обогащенный тип 8.

N -канал на подложке Р -типа, обедненный тип 9. Исток и сток Примечание. Варикап диод емкостный 7. Модуль с несколькими например, тремя одинаковыми диодами с общим анодным и самостоятельными катодными выводами 8a. Модуль с несколькими одинаковыми диодами с общим катодным и самостоятельными анодными выводами 9. Тиристор диодный, запираемый в обратном направлении 2. Тиристор диодный, проводящий в обратном направлении 3.

Тиристор диодный симметричный 4. Тиристор триодный симметричный двунаправленный - триак 9. Транзистор типа NPN , коллектор соединен с корпусом 3.

Транзистор лавинный типа NPN 4. Транзистор однопереходный с N -базой 5. Транзистор однопереходный с Р -базой 6. Транзистор двухбазовый типа NPN 7. Транзистор двухбазовый типа P NIP с выводом от i-области 8. Транзистор многоэмиттерный типа NPN Примечание. Транзистор полевой с каналом типа N 2.

Транзистор полевой с каналом типа Р 3. Транзистор полевой с изолированным затвором обогащенного типа с N -каналом, с внутренним соединением истока и подложки 5.

Транзистор полевой с изолированным затвором с выводом от подложки обогащенного типа с Р -каналом 6. Транзистор полевой с двумя изолированными затворами обедненного типа с Р -каналом с выводом от подложки 7. Транзистор полевой с затвором Шоттки 8.

Транзистор полевой с двумя затворами Шоттки. Прибор оптоэлектронный с фототранзистором: Пример применения условного графического обозначения на схеме 2. При измерении параметров транзисторов устанавливаются фактические их значения; при проверке предельно допустимых значений параметров устанавливается только их соответствие нормированным допустимым значениям без измерения их фактических значений, при этом выход за пределы норм предельно допустимых значений не допускается.

Для проверки параметров транзисторов должны быть использованы методы настоящего стандарта, предназначенные для их измерения. При этом в качестве измерительных устройств могут быть использованы пороговые измерительные устройства, указывающие на нахождение проверяемого параметра внутри и вне пределов норм, без указания его конкретного значения. Источники напряжения и тока, применяемые в схемах, должны обеспечивать выходные величины в пределах установленных норм вне зависимости от любых причин, влияющих на них в том числе, процессов включения и выключения источников.

Стабилизированные источники тока и напряжения должны обеспечивать необходимую стабилизацию тока и напряжения и малый уровень пульсаций для обеспечения требуемой точности измерений и проверки. Должна быть предусмотрена защита измерительных приборов схемы от перегрузок, являющихся результатом выхода из строя испытуемых транзисторов.

Допускается применение объединенных электрических схем для контроля нескольких характеристик и предельно допустимых значений параметров. Если в настоящем стандарте при описании схем указываются высокие сопротивления или проводимость элементов схем в том числе и измерительных приборов , то их значения должны быть настолько большими, чтобы любое их увеличение не вызывало бы значительного изменения измеряемых параметров или режимов измерения и проверки превышающего допустимую погрешность измерения.

Полярность источников питания, указанных на схемах, относится к транзисторам типа - -. Для транзисторов типа - - полярность должна быть обратной. Общая относительная погрешность измерения и проверки по п. Конкретные значения параметров режимов из диапазона значений, указанных в настоящем стандарте длительность импульсов, скважность и т.

Общие требования безопасности при испытаниях и измерениях должны соответствовать ГОСТ Методы измерения и проверки даны применительно к использованию транзисторов в схеме с общим эмиттером. Обозначения параметров - по ГОСТ Метод измерения обратного тока коллектора-эмиттера , ,. Напряжение коллектор-эмиттер должно быть максимально допустимым. Режим в цепи базы должен соответствовать указанному в технических условиях на транзисторы конкретных типов.

Измерение проводят по схеме, приведенной на черт. Источник импульсного напряжения должен обеспечивать импульсы напряжения с параметрами: Сопротивление резистора при измерении должно соответствовать установленному в технических условиях на транзисторы конкретных типов. Источник постоянного напряжения при измерении должен обеспечивать обратное напряжение в цепи базы в соответствии с установленным в технических условиях на транзисторы конкретных типов. Измерение обратного тока коллектор-эмиттер проводят следующим образом: Транзистор считают выдержавшим испытание, если обратный ток коллектор-эмиттер не превышает значения, установленного в технических условиях на транзисторы конкретных типов.

Метод измерения обратного тока эмиттера. Обратное напряжение эмиттер-база должно быть максимально допустимым. Источник импульсного напряжения должен обеспечивать импульсы напряжения с параметрами по п. Измерение обратного тока эмиттера проводят следующим образом: Транзистор считают выдержавшим испытание, если обратный ток эмиттера не превышает значения, установленного в технических условиях на транзисторы конкретных типов.

Метод измерения обратного тока коллектора. Напряжение коллектор-база должно быть максимально допустимым. Измерение обратного тока коллектора проводят следующим образом: Транзистор считают выдержавшим испытание, если обратный ток коллектора не превышает значения, установленного в технических условиях на транзисторы конкретных типов. Метод измерения напряжения насыщения коллектор-эмиттер и напряжения насыщения база-эмиттер.

Ток базы должен соответствовать указанному в технических условиях на транзисторы конкретных типов. Ток коллектора равен 0,5 , если иное не указано в технических условиях на транзисторы конкретных типов и. Расположение контрольных точек измерения напряжения должно соответствовать установленному в технических условиях на транзисторы конкретных типов. Источник импульсного тока должен обеспечивать: Источник постоянного напряжения должен обеспечивать напряжение, не превышающее максимально допустимое постоянное напряжение коллектор-эмиттер, и импульсы тока коллектора при наличии тока базы в соответствии с п.

Измерения напряжения насыщения коллектор-эмиттер и напряжения насыщения база-эмиттер проводят следующим образом: Транзистор считают выдержавшим испытание, если напряжения насыщения коллектор-эмиттер и база-эмиттер не превышают значений, установленных в технических условиях на транзисторы конкретных типов. Метод измерения статического коэффициента передачи тока. Напряжение коллектор-эмиттер во время действия импульса базового тока 5 В если иное не предусмотрено в технических условиях на транзисторы конкретных типов.

Ток коллектор-эмиттер во время действия импульса базового тока равен 0,5 , если иное не указано в технических условиях на конкретные типы транзисторов , и, при необходимости, другому значению, установленному в технических условиях на транзисторы конкретных типов. Источник постоянного напряжения должен обеспечивать: